- Талаффуз
- (SIL-ə-kən)(SIL-ə-kahn)
- Номи дигар
- silicon
- Намуди зоҳирӣ
- булӯрӣ
- Вазни атомии муқаррарӣ Ar, std(Si)
- [28.084, 28.086] conventional: 28.085
- Рақами атомӣ (Z)
- 14
- Гурӯҳ
- гурӯҳи 14 (гурӯҳи карбон)
- Давр
- даври 3
- Блок
- p-блок
- Категорияи элемент
- Нимметалл
- Конфигуратсияи электрон
- [Ne] 3s2 3p2
- Электронҳо аз рӯӣ ҷилд
- 2, 8, 4
- Фаза дар ҲФМ
- сахт
- Нуқтаи гудозиш
- 1687 K (1414 °C, 2577 °F)
- Ҳарорати ҷӯшиш
- 3538 K (3265 °C, 5909 °F)
- Зичӣ (наздик ба ҳ.х.)
- 2.3290 гр/см3
- ҳангоми моеъ будан (дар н.г.)
- 2.57 гр/см3
- Ҳарорати гудозиши хос
- 50.21 кҶ/мол
- Ҳарорати буғшавии хос
- 383 кҶ/мол
- Гармигунҷоиши молярӣ
- 19.789 Ҷ/(мол·К)
- at T (K)
- 1908
- Дараҷаҳои оксидшавӣ
- −4, −3, −2, −1, +1, +2, +3, +4 (an amphoteric oxide)
- Электроманфиият
- Ҷадвали Полинг: 1.90
- Қувваҳои иондоршавӣ
- 1-ум: 786.5 кҶ/мол 2-юм: 1577.1 кҶ/мол 3-юм: 3231.6 кҶ/мол (бештар)
- Радиуси атом
- эмпирикӣ: 111 пм
- Радиуси ковалентӣ
- 111 пм
- Радиуси Ван дер Ваалс
- 210 пм
- Сохтори булӯрӣ
- face-centered diamond-cubic
- Суръати овоз thin rod
- 8433 м/с (дар 20 °C)
- Васеъшавии ҳароратӣ
- 2.6 µm/(m·K) (дар 25 °C)
- Гармигузаронандагӣ
- 149 W/(m·K)
- Муқобилияти нисбӣ
- 2.3×103 Ω·m (дар 20 °C)
- Минатақаи мамнӯъ
- 1.12 eV (дар 300 K)
- Тартибории магнитӣ
- диамагнетик
- Таъсирпазирии магнитӣ
- −3.9·10−6 см3/мол (298 K)
- Модули Юнг
- 130–188 ГПа
- Модули ғеҷонидан
- 51–80 ГПа
- Модули чандирии ҳаҷмдор
- 97.6 ГПа
- Коэффисиенти Пуассон
- 0.064–0.28
- Сахтии Моос
- 6.5
- Рақами CAS
- 7440-21-3
