Electrically erasable programmable read-only memory

Le contenu de la mémoire EEPROM peut être facilement effacé et réécrit à l'aide d'un courant électrique.

Par exemple, quatre registres sont utilisés pour l'accès à la mémoire EEPROM d'un microcontrôleur PIC:

• EEDATA contient la donnée.
• EEADR contient l'adresse.
• EECON1 (Figure ci-dessous) est le registre de contrôle de l'accès à l’EEPROM. Cinq bits permettent cet accès:
  • RD et WR initialisent la lecture ou l'écriture. Ils sont mis à 1 par le programme pour initier l'accès et mis à zéro par le système à la fin de l'accès.
  • WREN autorise (1) ou non (0) l'accès en écriture.
  • WRERR est mis à 1 par le système quand une opération d'écriture est interrompue par MCLR, reset ou le chien de garde.
  • EEIF est un drapeau d'interruption signalant la fin de l'écriture physique dans la mémoire EEPROM. Il doit être mis à 0 par le programme.
• EECON2 joue un rôle spécifique lors de l'écriture.

Au début des années 1970, plusieurs sociétés s'efforçaient de développer des composants mémoires permanentes reprogrammables électriquement: ainsi, dès 1971, Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi et Kiyoko Nagai, chercheurs de l’Institut national des sciences et technologies industrielles avancées, présentèrent les plans d'un composant lors de la 3e Conférence des Solid State Devices, à Tokyo. Leur prototype de mémoire permanente reprogrammable électriquement date de 1972, et ils poursuivirent leurs recherches sur ce composant pendant plus de 10 ans; mais ce circuit nécessitait encore l'adjonction de condensateurs.

En 1972, IBM breveta son propre circuit de mémoire permanente reprogrammable électriquement, puis un circuit à injection par avalanche de type MOS, pratiquement en même temps que Fujio Masuoka chez Toshiba, ouvrant la voie à la mémoire flash.

En 1974, NEC breveta un circuit mémoire électriquement effaçable qu'elle déposa sous le nom d’EEPROM® auprès de l'Office japonais des brevets l'année suivante avec prise d'effet jusqu'en 1978. La limitation de ces mémoire à injection par avalanche tenait à la durée de stockage des données sans perte, et au nombre de cycle d'écriture/effacement.

La plupart des fabricants de semi-conducteurs de l'époque: Toshiba, Sanyo (devenu ON Semiconductor), IBM, Intel, NEC (absorbé par Renesas Electronics), Philips (devenu NXP Semiconductors), Siemens (puis Infineon Technologies), Honeywell (devenu Atmel), Texas Instruments ont développé ces mémoires permanentes reprogrammables jusqu'en 1977.

À la différence d'une mémoire PROM qui ne peut être programmée qu'une seule fois, une mémoire EEPROM peut être effacée et reprogrammée plusieurs fois (de 100 000 à 1 000 000 fois) et peut être lue un nombre illimité de fois.

Alors qu'il faut la retirer de l'appareil et la soumettre à un rayonnement ultra-violet pour effacer la mémoire EPROM (aussi appelée UVEPROM), la mémoire EEPROM peut être effacée par un simple courant électrique sans qu'il soit nécessaire de la retirer de l'appareil qui la contient.

Les mémoires Flash sont une variété de mémoire EEPROM rapide et effaçable par secteur complet, et non par case individuelle. On trouve plusieurs interfaces pour les adresser, série (24cxx) commandées par bus I2C, SPI… ou parallèles (29cxx), en 8/16/32 bits. C'est ce type de mémoire qui est utilisé dans les BIOS des cartes mères et dans des cartes électroniques où elles enregistrent des informations inhérentes à la carte comme l'adresse MAC, le nom du constructeur ou le type de produit. Elles servent également dans les cartes mémoires SD et CompactFlash, clés USB mais aussi dans les disques SSD.